2026年1月9日下午，烏鎮(zhèn)實(shí)驗(yàn)室張茂華研究員應(yīng)科技處與材料學(xué)院邀請(qǐng)做客我?！扒把乜茖W(xué)報(bào)告”，作題為“KNN基壓電材料在電場(chǎng)下的構(gòu)效關(guān)系”的學(xué)術(shù)報(bào)告。報(bào)告會(huì)由材料學(xué)院副院長(zhǎng)伍媛婷主持，學(xué)院相關(guān)專(zhuān)業(yè)教師及研究生參加此次報(bào)告會(huì)。

報(bào)告中，張茂華系統(tǒng)介紹了其團(tuán)隊(duì)在無(wú)鉛壓電陶瓷領(lǐng)域的最新研究成果，重點(diǎn)闡述了KNN基無(wú)鉛壓電陶瓷中構(gòu)建相界的關(guān)鍵科學(xué)問(wèn)題。他以組分位于O-T與R-T相界的兩種高性能KNN基材料為例，結(jié)合第一性原理計(jì)算、分子動(dòng)力學(xué)模擬、中子散射及原位變電場(chǎng)X射線(xiàn)衍射等多種表征手段，從宏觀物性、結(jié)構(gòu)畸變、疇壁運(yùn)動(dòng)等多個(gè)維度，深入揭示了材料的構(gòu)效關(guān)系，并對(duì)以下核心問(wèn)題進(jìn)行了探討：（1）相界處壓電性能增強(qiáng)的機(jī)理；（2）不同相界組分壓電響應(yīng)差異的原因；（3）KNN中R-T相界的真實(shí)存在性；（4）R-T相界與經(jīng)典PZT材料MPB的異同。

張茂華的報(bào)告內(nèi)容深入淺出，兼顧理論深度與實(shí)際應(yīng)用，既有宏觀調(diào)控思路，也有微觀結(jié)構(gòu)解析。在交流環(huán)節(jié)，與會(huì)師生圍繞壓電陶瓷及反鐵電鈮酸鈉陶瓷等方向踴躍提問(wèn)，張茂華逐一作出細(xì)致解答。

本次報(bào)告為我校師生在無(wú)鉛壓電陶瓷的微觀結(jié)構(gòu)研究與性能優(yōu)化方面提供了重要的理論指導(dǎo)和前沿思路，對(duì)推動(dòng)我校相關(guān)學(xué)科的高水平發(fā)展、拓展科研視野具有積極意義，也為進(jìn)一步開(kāi)展交叉學(xué)科合作與創(chuàng)新研究奠定了良好基礎(chǔ)。

新聞小貼士：

張茂華，國(guó)家級(jí)高層次青年人才，烏鎮(zhèn)實(shí)驗(yàn)室特聘研究員、科研創(chuàng)新部部長(zhǎng)。長(zhǎng)期從事反鐵電、鐵電壓電材料的相關(guān)研究，發(fā)表SCI論文50余篇，其中以第一作者/通訊作者身份在NC、AM、JACS、Science Advances、Acta Mater、APL等材料學(xué)重要期刊發(fā)表論文20余篇。被引用次數(shù)2300余次，H因子26。曾獲美國(guó)陶瓷學(xué)會(huì)摩根獎(jiǎng)?wù)氯蚪艹霾┦空撐莫?jiǎng)、中國(guó)硅酸鹽學(xué)會(huì)建筑材料科學(xué)技術(shù)一等獎(jiǎng)、德國(guó)博士最優(yōu)等榮譽(yù)，擔(dān)任中國(guó)硅酸鹽學(xué)會(huì)微納技術(shù)分會(huì)青年理事、中國(guó)陶瓷學(xué)會(huì)Journal of Materiomics青年編委、中國(guó)復(fù)合材料學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)交流工作委員會(huì)委員。

(核稿：伍媛婷 編輯：趙誠(chéng))